5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SSD2011ATF
SSD2011ATF PDF预览

SSD2011ATF

更新时间： 2024-09-25 21:12:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 176K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSD2011ATF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSD2011ATF 数据手册

 浏览型号SSD2011ATF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSD2011ATF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSD2011ATF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSD2011ATF的Datasheet PDF文件第5页 
Dual P-CHANNEL POWER MOSFET  
SSD2011A  
8 SOIC  
FEATURES  
1
8
7
6
5
S1  
D1  
D1  
2
3
4
G1  
S2  
D2  
D2  
! Lower RDS(ON)  
G2  
! Improved Inductive Ruggedness  
! Fast Switching Times  
Top View  
D1 D2  
! Low Input Capacitance  
! Extended Safe Operating Area  
! Improved High Temperature Reliability  
▲
◀
G1, G2  
Product Summary  
Part Number BVDSS  
SSD2011A - 60V  
RDS(on)  
ID  
S1, S2  
0.280Ω  
- 2.0A  
P-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
- 60  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current TA=25℃  
Continuous Drain Current TA=70℃  
Drain Current-Pulsed (2)  
- 2.0  
- 1.6  
- 10.0  
±20  
2.0  
ID  
A
IDM  
A
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Total Power Dissipation ( TA=25℃ )  
( TA=70℃ )  
PD  
W
1.3  
Operating and Junction Storage  
Temperature Range  
TJ , TSTG  
℃
- 55 to +150  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
℃/W  
--  
62.5  
Rev. A  
12345

中文翻译

下载PDF

与SSD2011ATF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSD2013 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSD2015 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
SSD2019A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2025 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2025TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SSD2025TF ROCHESTER

获取价格

 		3.3A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8
SSD2025TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SSD20N03 SECOS

获取价格

 		N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SSD20N06-90D SECOS

获取价格

 		N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SSD20N10_15 SECOS

获取价格

 		N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

与SSD2011ATF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证