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SSD2007A

更新时间： 2024-11-12 22:35:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 182K
描述
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

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SSD2007A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSD2007A 数据手册

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SSD2007A  
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET  
8 SOP  
FEATURES  
1
2
3
4
8
7
6
5
S1  
D1  
D1  
G1  
S2  
D2  
D2  
! Extremely Lower RDS(ON)  
G2  
! Improved Inductive Ruggedness  
! Fast Switching Times  
Top View  
! Rugged Polysilicon Gate Cell Structure  
! Low Input Capacitance  
D1,D2  
D1,D2  
! Extended Safe Operating Area  
! Improved High Temperature Reliability  
! Surface Mounding Package : 8SOP  
▼
G1 ,G2  
▼
▼
S1 ,S2  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage(1)  
Value  
50  
Units  
V
V
V
A
A
V
VDGR  
Drain-Gate Voltage(RGS=1.0MΩ)(1)  
Gate-to-Source Voltage  
50  
VGS  
ID  
±20  
2.0  
Continuous Drain Current TA=25℃  
Continuous Drain Current TA=100℃  
Drain Current-Pulsed (2)  
ID  
1.6  
IDM  
8.0  
Total Power Dissipation TA=25℃  
TA=70℃  
2.0  
PD  
W
1.3  
Operating and Storage  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
Junction Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/16” from case for 5 seconds  
℃
TL  
300  
Notes ;  
(1) TJ= 25℃ to 150℃  
(2) Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Max. Junction Temperature  
Rev. A  
12345

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