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SSD20P15-295D

更新时间： 2024-11-14 01:17:59
品牌 Logo 应用领域
SECOS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 447K
描述
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

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SSD20P15-295D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：10.7 A最大漏源导通电阻：0.295 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSD20P15-295D 数据手册

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SSD20P15-295D  
-10.7A, -150V, RDS(ON) 295mΩ  
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
DESCRIPTION  
These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell  
density process.Low RDS(on) assures minimal power loss  
and conserves energy, making thisdevice ideal for use in  
power management circuitry. Typical applications are  
PWMDC-DC converters, power management in portable  
and battery-powered products such as computers, printers,  
battery charger, telecommunication power system, and  
telephones power system.  
TO-252(D-Pack)  
A
B
C
D
FEATURES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life.  
Miniature TO-252 surface mount package saves board space.  
High power and current handling capability.  
G E  
K
H F  
N
O
P
M
J
2
Drain  
PACKAGE INFORMATION  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Package  
MPQ  
2.5K  
Leader Size  
A
B
C
D
E
F
6.4  
5.20  
2.20  
0.45  
6.8  
2.40  
5.40  
0.8  
6.8  
5.50  
2.40  
0.58  
7.3  
3.0  
6.2  
1.20  
J
K
M
N
O
P
2.30 REF.  
0.70  
0.50  
0.9  
0.90  
1.1  
1.6  
1
Gate  
TO-252  
13’ inch  
0
0.43  
0.15  
0.58  
G
H
3
Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Ratings  
-150  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
±20  
V
Continuous Drain Current 1  
Pulsed Drain Current 2  
TC=25℃  
ID  
IDM  
-10.7  
-60  
A
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) 1  
IS  
-42.6  
50  
A
Total Power Dissipation 1  
TC=25℃  
PD  
W
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 ~ 175  
Thermal Resistance Ratings  
Maximum Thermal Resistance Junction-Ambient 1  
RθJA  
RθJC  
40  
3
°C / W  
°C / W  
Maximum Thermal Resistance Junction-Case  
Notes：  
1.  
2.  
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Pulse width limited by maximum junction temperature.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
10-Sep-2013 Rev.A  
Page 1 of 4  
1234

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