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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.36 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSD2025TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSD20N03 | SECOS |
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20N06-90D | SECOS |
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20N10_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20N10-130D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20N10-250D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20N15-250D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20P03-60 | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20P04-60D | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSD20P06-135D | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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