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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSD2009A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2011 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SSD2011A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2011ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SSD2013 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSD2015 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SSD2019A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
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| SSD2025 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2025TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSD2025TF | ROCHESTER |
获取价格 |
3.3A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 |
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