是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.34 | Is Samacsys: | N |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SSD2025TF_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
STS4DNF60L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSD2025TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SSD20N03 | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20N06-90D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20N10_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20N10-130D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20N10-250D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20N15-250D | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20P03-60 | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20P04-60D | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET | |
SSD20P06-135D | SECOS |
获取价格 |
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |