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SSD2025TF

更新时间: 2024-09-25 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 184K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

SSD2025TF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.34Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):3.3 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SSD2025TF 数据手册

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Dual N-CHANNEL POWER MOSFET  
SSD2025  
8 SOIC  
FEATURES  
1
2
3
4
8
S1  
D1  
7
G1  
D1  
6
S2  
D2  
! Lower RDS(on)  
5
G2  
D2  
! Improved Inductive Ruggedness  
! Fast Switching Times  
Top View  
! Low Input Capacitance  
D1,D2  
D1,D2  
! Extended Safe Operating Area  
! Improved High Temperature Reliability  
G1 ,G2  
Product Summary  
RDS(on)  
Part Number  
SSD2025  
BVDSS  
60V  
ID  
S1 ,S2  
0.10  
3.3A  
N -Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
60  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current TA=25℃  
Continuous Drain Current TA=70℃  
3.3  
ID  
A
2.6  
Drain Current-Pulsed  
IDM  
A
V
10.0  
±20  
2.0  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Total Power Dissipation ( TA=25)  
( TA=70)  
PD  
W
1.3  
Operating and Junction Storage  
Temperature Range  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
Max.  
62.5  
Units  
RθJA  
/W  
--  
Rev. A1  

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