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SSD2011A

更新时间： 2024-09-24 22:42:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	180K
描述
Dual P-CHANNEL POWER MOSFET

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SSD2011A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSD2011A 数据手册

Dual P-CHANNEL POWER MOSFET

SSD2011A

8 SOIC

FEATURES

S₁

D₁

G₁

S₂

D₂

! Lower R_DS(ON)

G₂

! Improved Inductive Ruggedness

! Fast Switching Times

Top View

D₁D₂

! Low Input Capacitance

! Extended Safe Operating Area

! Improved High Temperature Reliability

▲

◀

G₁, G₂

Product Summary

Part Number BV_DSS

SSD2011A - 60V

R_DS(on)

I_D

S₁, S₂

0.280Ω

- 2.0A

P-Channel MOSFET

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

- 60

Units

V_DSS

Continuous Drain Current T_A=25℃

Continuous Drain Current T_A=70℃

Drain Current-Pulsed (2)

- 2.0

- 1.6

- 10.0

±20

2.0

I_D

I_DM

V_GS

Gate-to-Source Voltage

Total Power Dissipation ( T_A=25℃ )

( T_A=70℃ )

P_D

1.3

Operating and Junction Storage

Temperature Range

T_J, T_STG

℃

- 55 to +150

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient

℃/W

62.5

Rev. A

12 3 4 5

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