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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSD2011A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| SSD2011ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSD2013 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSD2015 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SSD2019A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
|
| SSD2025 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2025TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SSD2025TF | ROCHESTER |
获取价格 |
3.3A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 |
|
| SSD2025TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSD20N03 | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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