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SSD2009A

更新时间： 2024-11-12 22:42:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 183K
描述
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

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SSD2009A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSD2009A 数据手册

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Dual N-CHANNEL POWER MOSFET  
SSD2009A  
8 SOIC  
FEATURES  
1
2
3
4
8
7
6
5
S1  
D1  
D1  
G1  
S2  
D2  
D2  
! Lower RDS(ON)  
G2  
! Improved Inductive Ruggedness  
! Fast Switching Times  
Top View  
! Low Input Capacitance  
D1,D2  
D1,D2  
! Extended Safe Operating Area  
! Improved High Temperature Reliability  
▼
G1 ,G2  
▼
▼
Product Summary  
RDS(on)  
BVDSS  
50V  
Part Number  
SSD2009  
ID  
S1 ,S2  
0.13Ω  
3.0A  
N -Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
50  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current TA=25℃  
Continuous Drain Current TA=70℃  
3.0  
ID  
A
2.3  
Drain Current-Pulsed  
①
IDM  
A
V
10.0  
±20  
2.0  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Total Power Dissipation ( TA=25℃ )  
( TA=70℃ )  
PD  
W
1.3  
Operating and Junction Storage  
Temperature Range  
TJ , TSTG  
℃
- 55 to +150  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
Max.  
62.5  
Units  
RθJA  
℃/W  
--  
Rev. A1  
12345

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