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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSD2005 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 25V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SSD2007 | FAIRCHILD |
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Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2007A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2007ASTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SSD2007ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SSD2008A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
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| SSD2008ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor, |
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| SSD2009 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSD2009 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSD2009A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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