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SMBT5086

更新时间: 2024-11-20 22:27:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
PNP Silicon Transistors

SMBT5086 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.24
最大集电极电流 (IC):0.05 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):150JESD-609代码:e0
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.33 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):40 MHz

SMBT5086 数据手册

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PNP Silicon Transistors  
SMBT 5086  
SMBT 5087  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Low noise between 30 Hz and 15 kHz  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SMBT 5086  
SMBT 5087  
s2P  
s2Q  
Q62702-M0002  
Q68000-A8319  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
50  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCE0  
V
VCB0  
50  
VEB0  
3
IC  
50  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation, T  
S
= 71 ˚C  
P
tot  
330  
150  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature range  
T
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
310  
240  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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