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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SC-74 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMBTA06UPNE6327 | INFINEON |
类似代替  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
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| HBDM60V600W-7 | DIODES |
功能相似 |
COMPLEX TRANSISTOR ARRAY FOR BIPOLAR TRANSISTOR HALF H-BRIDGE MOTOR/ACTUATOR DRIVER |
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| SMBTA06U | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon AF Transistor Array |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBTA06UPN_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage |
|
| SMBTA06UPNE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| SMBTA06UPNE6327HT | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
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| SMBTA06UPNE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| SMBTA13 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistors |
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| SMBTA13E6327 | INFINEON |
获取价格 |
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|
| SMBTA13E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| SMBTA14 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistors |
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| SMBTA14 / MMBTA14 | INFINEON |
获取价格 |
PNP 硅达灵顿晶体管 |
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| SMBTA14_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation |
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