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SMBTA42T

更新时间： 2024-11-18 21:21:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	525K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SMBTA42T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

SMBTA42T 数据手册

SMBTA42/MMBTA42

NPN Silicon High-Voltage Transistors

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types:

SMBTA92 / MMBTA92(PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

s1D

Pin Configuration

Package

SOT23

SMBTA42/MMBTA42

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

300

500

100

360

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Total power dissipation-

CEO

CBO

EBO

°C

tot

T ≤ 74 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 210

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-12-19

12 3 4 5 6 7

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