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SMBTA93

更新时间: 2024-11-08 22:39:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
PNP Silicon Transistors for High Voltages

SMBTA93 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.36 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

SMBTA93 数据手册

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PNP Silicon Transistors for High Voltages  
SMBTA 92  
SMBTA 93  
High breakdown voltage  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: SMBTA 42, SMBTA 43 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SMBTA 92  
SMBTA 93  
s2D  
s2E  
Q68000-A6479  
Q68000-A6483  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
SMBTA 92 SMBTA 93  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
300  
300  
200  
200  
V
V
V
5
IC  
500  
100  
mA  
Base current  
IB  
Total power dissipation, T  
S
= 74 ˚C  
P
tot  
360  
mW  
˚C  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
280  
210  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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