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SMBTA55

更新时间： 2024-11-17 22:39:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	149K
描述
PNP Silicon AF Transistors

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SMBTA55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

SMBTA55 数据手册

PNP Silicon AF Transistors

SMBTA 55

SMBTA 56

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: SMBTA 05, SMBTA 06 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBTA 55

SMBTA 56

s2H

s2G

Q68000-A3386

Q68000-A2882

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SMBTA 55

SMBTA 56

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

500

Peak collector current

Base current

100

200

330

150

Peak base current

Total power dissipation, T^S= 79 ˚C

Junction temperature

Storage temperature range

Ptot

˚C

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 285

≤ 215

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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