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SMBTA56E6327XT

更新时间： 2024-11-05 15:51:47

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
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7页	75K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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SMBTA56E6327XT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

SMBTA56E6327XT 数据手册

SMBTA56/MMBTA56

PNP Silicon AF Transistor

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: SMBTA06 / MMBTA06(NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SMBTA56/MMBTA56

s2G

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

500

Peak collector current

Base current

100

200

330

Peak base current

Total power dissipation-

°C

tot

T ≤ 79°C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction - soldering point

≤ 215

thJS

¹Pb-containing package may be available upon special request

²For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2007-04-19

12 3 4 5 6 7

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