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SMBTA56U

更新时间： 2024-11-05 19:55:15

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	141K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN

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SMBTA56U 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-74
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

SMBTA56U 数据手册

SMBTA56U

PNP Silicon AF Transistor Array

High breakdown voltage

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary type: SMBTA06U (NPN)

Two ( galvanic) internal isolated Transistors

with good matching in one package

VPW09197

TR2

TR1

EHA07175

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SMBTA56U

s2G

1=E 2=B 3=C 4=E 5=B 6=C

SC74

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

500

100

200

330

150

CEO

CBO

EBO

Peak base current

Total power dissipation, T = 115 °C

Junction temperature

°C

tot

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

105

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Dec-12-2001

12 3 4 5

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