SMBTA70

更新时间： 2024-11-20 22:39:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	130K
描述
PNP Silicon Transistor

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SMBTA70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

SMBTA70 数据手册

PNP Silicon Transistor

SMBTA 70

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBTA 70

s2C

Q62702-M0003

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

EB0

100

200

100

330

150

Peak collector current

Peak base current

Total power dissipation, T

Junction temperature

tot

˚C

= 71 ˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 310

≤ 240

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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