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SMBTA14E6327

更新时间: 2024-11-19 06:23:47
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

SMBTA14E6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.24
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):20000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.33 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHz

SMBTA14E6327 数据手册

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SMBTA14/MMBTA14  
NPN Silicon Darlington Transistor  
High collector current  
2
3
Low collector-emitter saturation voltage  
1
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
SMBTA14/MMBTA14  
s1N  
SOT23  
1=B  
2=E  
3=C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CES  
CBO  
EBO  
30  
10  
300  
500  
100  
200  
330  
mA  
I
C
Peak collector current  
Base current  
I
CM  
I
B
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
BM  
mW  
°C  
P
tot  
T 81 °C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
2)  
K/W  
Junction - soldering point  
R
210  
thJS  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
2007-04-19  
1

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