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SMBTA06U PDF预览

SMBTA06U

更新时间： 2024-11-17 22:50:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
NPN Silicon AF Transistor Array

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SMBTA06U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SMBTA06U 数据手册

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SMBTA06U  
NPN Silicon AF Transistor Array  
4
5
High breakdown voltage  
6
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary type: SMBTA56U (PNP)  
Two ( galvanic) internal isolated Transistors  
with good matching in one package  
3
2
1
VPW09197  
C1  
B2  
5
E2  
4
6
TR2  
TR1  
1
2
3
E1  
B1  
C2  
EHA07178  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
SMBTA06U  
s1G  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1  
SC74  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
Base current  
80  
80  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
4
500  
1
mA  
A
I
C
I
CM  
100  
200  
330  
150  
-65 ... 150  
mA  
I
B
Peak base current  
I
BM  
Total power dissipation, T = 115 °C  
mW  
°C  
P
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
thJS  
105  
K/W  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
1
Nov-30-2001  
12345

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SMBTA06U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMBTA06UPNE6327 INFINEON

类似代替

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