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SMBT5087

更新时间: 2024-11-20 22:27:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
PNP Silicon Transistors

SMBT5087 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.23Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):250JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.33 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

SMBT5087 数据手册

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PNP Silicon Transistors  
SMBT 5086  
SMBT 5087  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Low noise between 30 Hz and 15 kHz  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SMBT 5086  
SMBT 5087  
s2P  
s2Q  
Q62702-M0002  
Q68000-A8319  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
50  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCE0  
V
VCB0  
50  
VEB0  
3
IC  
50  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation, T  
S
= 71 ˚C  
P
tot  
330  
150  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature range  
T
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
310  
240  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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