SMBTA06M

更新时间： 2024-11-17 22:50:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	34K
描述
NPN Silicon AF Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBTA06M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SCT595, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

SMBTA06M 数据手册

SMBTA 06M

NPN Silicon AF Transistor

• High breakdown voltage

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: SMBTA 56M (PNP)

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

SMBTA 06M s1G

Q62702-A3473 1 = B 2 = C 3 = E 4=n.c. 5 = C SCT-595

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

500

100

Peak base current

200

Total power dissipation, T ≤ 95 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

- 65...+150

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤110

≤55

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Jun-08-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SMBTA06M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBTA06U	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistor Array
SMBTA06UPN	INFINEON	获取价格	NPN/PNP Silicon AF Transistor Array
SMBTA06UPN_07	INFINEON	获取价格	NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage
SMBTA06UPNE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
SMBTA06UPNE6327HT	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
SMBTA06UPNE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
SMBTA13	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Darlington Transistors
SMBTA13E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
SMBTA13E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
SMBTA14	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Darlington Transistors