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SMBTA06E6327

更新时间： 2024-11-05 15:51:47
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 525K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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SMBTA06E6327 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SMBTA06E6327 数据手册

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SMBTA06/MMBTA06  
NPN Silicon AF Transistor  
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary type:  
2
3
1
SMBTA 56 / MMBTA56 (PNP)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
s1G  
Pin Configuration  
Package  
SOT23  
SMBTA06/MMBTA06  
1=B  
2=E  
3=C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
80  
80  
4
500  
1
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
mA  
A
I
C
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
p
CM  
100  
200  
330  
mA  
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
B
I
BM  
mW  
°C  
P
tot  
T ≤ 79 °C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 215  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-12-19  
1
1234567

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SMBTA06E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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