SMBT6429

更新时间： 2024-11-20 22:50:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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6页	180K
描述
NPN Silicon Transistors

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SMBT6429 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-609代码：	e0	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

SMBT6429 数据手册

NPN Silicon Transistors

SMBT 6428

SMBT 6429

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBT 6428

SMBT 6429

s1K

s1L

Q68000-A8321

Q68000-A8322

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SMBT 6428

SMBT 6429

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

VCE0

VCB0

VEB0

Collector current

200

330

150

˚C

Total power dissipation, T^S= 71 ˚C

Junction temperature

tot

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 310

≤ 240

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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