5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.14 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBTA06 / MMBTA06 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor |
|
| SMBTA06_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor Low collector-emitter saturation voltage |
|
| SMBTA06E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| SMBTA06E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| SMBTA06E6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| SMBTA06M | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor |
|
| SMBTA06U | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor Array |
|
| SMBTA06UPN | INFINEON |
获取价格 |
NPN/PNP Silicon AF Transistor Array |
|
| SMBTA06UPN_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage |
|
| SMBTA06UPNE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
