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SMBT6427

更新时间: 2024-11-20 22:50:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 146K
描述
NPN Silicon Darlington Transistor

SMBT6427 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.02
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):20000JESD-609代码:e0
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.36 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):130 MHz
Base Number Matches:1

SMBT6427 数据手册

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NPN Silicon Darlington Transistor  
SMBT 6427  
For general amplifier applications  
High collector current  
High current gain  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SMBT 6427  
s1V  
Q68000-A8320  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
40  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
V
V
V
40  
12  
IC  
500  
800  
360  
150  
mA  
Peak collector current  
Total power dissipation, T  
Junction temperature  
ICM  
P
tot  
mW  
˚C  
S
= 74 ˚C  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
280  
210  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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