5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5086
MMBT5086 PDF预览

MMBT5086

更新时间： 2024-11-17 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 101K
描述
PNP General Purpose Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT5086 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

MMBT5086 数据手册

 浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT5086的Datasheet PDF文件第7页 
2N5086/2N5087/MMBT5087  
PNP General Purpose Amplifier  
3
•
This device is designed for low level, high gain, low  
noise general purpose amplifier applications at  
collector currents to 50mA.  
2
SOT-23  
Mark: 2Q  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
CEO  
-50  
V
CBO  
EBO  
-3.0  
V
I
- Continuous  
-100  
mA  
°C  
C
T , T  
Junction and Storage Temperature  
-55 ~ +150  
J
stg  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
= -1.0mA, I = 0  
-50  
-50  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CEO  
C
B
= -100µA, I = 0  
C
E
I
V
V
= -10V, I = 0  
-10  
-50  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
= -35V, I = 0  
E
I
Emitter Cutoff Current  
V
= -3.0V, I = 0  
-50  
nA  
CBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
I
= -100µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
5086  
5087  
5086  
5087  
150  
250  
150  
250  
150  
250  
500  
800  
FE  
C
C
C
CE  
= -1.0mA, V = -5.0V  
CE  
= -10mA, V = -5.0V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= -10mA, I = -1.0mA  
-0.3  
V
V
CE(sat)  
C
B
= -1.0mA, V = -5.0V  
-0.85  
BE(on)  
C
CE  
Small Signal Characteristics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Collector-Base Capacitance  
Small-Signal Current Gain  
I
= -500µA, V = -5.0V, f = 20MHz  
40  
MHz  
pF  
T
C
CE  
C
V
= -5.0V, I = 0, f = 100KHz  
4.0  
cb  
CB  
E
h
I
= -1.0mA, V = -5.0V,  
5086  
5087  
150  
250  
600  
900  
fe  
C
CE  
f = 1.0KHz  
NF  
Noise Figure  
I
R
= -100µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
3.0  
2.0  
dB  
dB  
C
CE  
= 3.0kΩ, f = 1.0KHz  
S
I
R
= -20µA, V = -5.0V  
5086  
5087  
3.0  
2.0  
dB  
dB  
C
CE  
= 10kΩ  
S
f = 10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2003  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

MMBT5086 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMPT5086 CENTRAL

功能相似

 PNP SILICON TRANSISTOR
SMBT5086 INFINEON

功能相似

 PNP Silicon Transistors

与MMBT5086相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5086/D87Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5086/L99Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5086/S62Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5086D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
MMBT5086S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
MMBT5087 SAMSUNG

获取价格

 		PNP (LOW NOISE TRANSISTOR)
MMBT5087 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP General Purpose Amplifier
MMBT5087 ONSEMI

获取价格

 		Low Noise Transistor
MMBT5087 SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBT5087/L99Z TI

获取价格

 		100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

与MMBT5086相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证