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MMBT5086/L99Z

更新时间: 2024-11-09 21:17:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBT5086/L99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.8其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.35 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

MMBT5086/L99Z 数据手册

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