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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5086D87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| MMBT5086S62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| MMBT5087 | SAMSUNG |
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PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) |
|
| MMBT5087 | FAIRCHILD |
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PNP General Purpose Amplifier |
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| MMBT5087 | ONSEMI |
获取价格 |
Low Noise Transistor |
|
| MMBT5087 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| MMBT5087/L99Z | TI |
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100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT5087_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| MMBT5087L | MOTOROLA |
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50mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN |
|
| MMBT5087LT1 | MOTOROLA |
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Low Noise Transistor |
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