是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 350 | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 50 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT5088LT1 | MOTOROLA |
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Low Noise Transistors | |
MMBT5088LT1 | ONSEMI |
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Low Noise Transistors | |
MMBT5088LT1 | LRC |
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Low Noise Transistors(NPN Silicon) | |
MMBT5088LT1 | DBLECTRO |
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Transistor | |
MMBT5088LT1G | ONSEMI |
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Low Noise Transistors NPN Silicon | |
MMBT5088LT3 | ONSEMI |
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50mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN | |
MMBT5088S62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
MMBT5089 | ONSEMI |
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NPN通用放大器 | |
MMBT5089 | SAMSUNG |
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NPN (LOW NOISE TRANSISTOR) | |
MMBT5089 | FAIRCHILD |
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NPN General Purpose Amplifier |