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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5088LT1
MMBT5088LT1 PDF预览

MMBT5088LT1

更新时间： 2024-01-13 19:56:32
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 301K
描述
Low Noise Transistors

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MMBT5088LT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.8
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：412002Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)Samacsys Released Date：2017-06-15 02:27:56
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBT5088LT1 数据手册

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by MMBT5088LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
5088LT1 5089LT1  
Unit  
Vdc  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
35  
25  
30  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
4.5  
50  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT5088LT1 = 1Q; MMBT5089LT1 = 1R  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT5088  
MMBT5089  
30  
25  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CBO  
MMBT5088  
MMBT5089  
35  
30  
—
—
C
E
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 20 Vdc, I = 0)  
MMBT5088  
MMBT5089  
—
—
50  
50  
E
= 15 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
EBO  
(V  
EB(off)  
(V  
EB(off)  
= 3.0 Vdc, I = 0)  
MMBT5088  
MMBT5089  
—
—
50  
100  
C
= 4.5 Vdc, I = 0)  
C
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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与MMBT5088LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5088LT1G ONSEMI

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 		Low Noise Transistors NPN Silicon
MMBT5088LT3 ONSEMI

获取价格

 		50mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT5088S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT5089 ONSEMI

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 		NPN通用放大器
MMBT5089 SAMSUNG

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 		NPN (LOW NOISE TRANSISTOR)
MMBT5089 FAIRCHILD

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MMBT5089 KEXIN

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 		Low Noise NPN Transistor Surface Mount

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