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MMBT5089

更新时间： 2024-01-01 07:02:12

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2页	43K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT5089 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.17
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5089 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

NPN General Purpose Amplifier

MMBT5088,MMBT5089

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

NPN general purpose amplifier

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CE0

V^CBO

V^EBO

I^C

MMBT5088

MMBT5089

Unit

4.5

100

150

Junction temperature

Storage temperature

T^j

-55 to +150

Tstg

Total device dissipation

Derate above 25

625

5.0

350

2.8

mW/

Thermal resistance, junction to case

Thermal resistance, junction to ambient

RèJC

83.3

200

R^èJA

357

www.kexin.com.cn

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与MMBT5089相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5089/D87Z	TI	获取价格	100mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089/L99Z	TI	获取价格	100mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089_15	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT5089D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT5089G-AE3-R	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT5089-HIGH	TI	获取价格	25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT5089L	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
MMBT5089L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT5089LT1	ONSEMI	获取价格	Low Noise Transistors
MMBT5089LT1	DBLECTRO	获取价格	Transistor