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MMBT5089LT1G

更新时间： 2024-01-09 08:38:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	189K
描述
Low Noise Transistors NPN Silicon

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MMBT5089LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.67
Samacsys Description：	ON Semi MMBT5089LT1G NPN Bipolar Transistor, 50 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

MMBT5089LT1G 数据手册

MMBT5088LT1G,

MMBT5089LT1G

Low Noise Transistors

NPN Silicon

http://onsemi.com

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

COLLECTOR

Compliant

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

EMITTER

Collector−Emitter Voltage

CEO

Vdc

MMBT5088

MMBT5089

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Vdc

CBO

SOT−23 (TO−236)

MMBT5088

MMBT5089

CASE 318

STYLE 6

4.5

Vdc

EBO

Collector Current − Continuous

mAdc

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

1x M G

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

556

°C/W

1x = Device Code

x = Q for MMBT5088LT1

Total Device Dissipation Alumina

Substrate, (Note 2) T = 25°C

300

2.4

mW/°C

x = R for MMBT5089LT1

= Date Code*

Derate above 25°C

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Junction and Storage Temperature

417

°C/W

°C

T , T

−55 to +150

stg

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

ORDERING INFORMATION

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

†

Device

Package

Shipping

MMBT5088LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

MMBT5089LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009

Publication Order Number:

August, 2009 − Rev. 3

MMBT5088LT1/D

12 3 4 5

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MMBT5089LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT5089	ONSEMI	类似代替	NPN通用放大器
SMMBT5089LT1G	ONSEMI	类似代替	Low Noise Transistors
MMBT5089LT1	ONSEMI	类似代替	Low Noise Transistors

与MMBT5089LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5089LT3	ONSEMI	获取价格	50mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT5089-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MMBT5128	TI	获取价格	MMBT5128
MMBT5130	TI	获取价格	MMBT5130
MMBT5134	TI	获取价格	MMBT5134
MMBT5135	TI	获取价格	MMBT5135
MMBT5136	TI	获取价格	MMBT5136
MMBT5137	TI	获取价格	MMBT5137
MMBT5138	TI	获取价格	MMBT5138
MMBT5139	TI	获取价格	MMBT5139

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