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MMBT5089LT3

更新时间： 2024-01-27 21:56:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 228K
描述
50mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBT5089LT3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.48最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBT5089LT3 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBT5088LT1  
MMBT5089LT1  
Low Noise Transistors  
NPN Silicon  
MMBT5089LT1 is a Preferred Device  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
5088LT1 5089LT1  
Unit  
Vdc  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
35  
25  
30  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AF)  
Emitter–Base Voltage  
4.5  
50  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
COLLECTOR  
3
Symbol  
Max  
Unit  
1
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
T = 25°C  
A
P
D
225  
mW  
BASE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
q
JA  
EMITTER  
Total Device Dissipation  
P
D
(2)  
Alumina Substrate, T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
q
JA  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
MMBT5088LT1 = 1Q; MMBT5089LT1 = 1R  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT5088  
MMBT5089  
30  
25  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CBO  
MMBT5088  
MMBT5089  
35  
30  
—
—
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
MMBT5088  
MMBT5089  
—
—
50  
50  
CB  
E
(V = 15 Vdc, I = 0)  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
EBO  
(V  
EB(off)  
(V  
EB(off)  
= 3.0 Vdc, I = 0)  
MMBT5088  
MMBT5089  
—
—
50  
100  
C
= 4.5 Vdc, I = 0)  
C
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
627  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBT5088LT1/D  
1234

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