是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.31 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 250 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MSC2712GT1G | ONSEMI |
类似代替 |
General Purpose Amplifier Transistor | |
MSC2712GT1 | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Amplifier Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT5210_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, | |
MMBT5223 | TI |
获取价格 |
MMBT5223 | |
MMBT5224 | TI |
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MMBT5224 | |
MMBT5224 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236 | |
MMBT5227 | NSC |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,TO-236 | |
MMBT5330WP | SWST |
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小信号晶体管 | |
MMBT5343-G | MCC |
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NPN Silicon Transistors | |
MMBT5343-G-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C | |
MMBT5343-L | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors | |
MMBT5343-L-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |