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MMBT5343-Y

更新时间： 2024-09-26 10:52:31
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美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 315K
描述
NPN Silicon Transistors

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MMBT5343-Y 数据手册

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M C C  
MMBT5343-O  
MMBT5343-Y  
MMBT5343-G  
MMBT5343-L  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Transistors  
·
·
ꢀꢁ Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)=0.25V(Max.)  
ꢀꢁ Low Output Capacitance: Cob=2.0pF(Typ.)  
ꢀꢁ Marking : 5343  
SOT-23  
Maximum Ratings  
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
Unit  
V
D
C
60  
V
B
C
5.0  
V
150  
mA  
mW  
OC  
OC  
E
B
F
E
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
TJ  
150  
TSTG  
-55 to +150  
H
G
J
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
DIMENSIONS  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
60  
50  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
---  
Vdc  
F
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
G
H
J
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
.085  
.37  
K
ON CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Forward Current Transfer ratio*  
70  
---  
80  
---  
---  
---  
700  
0.25  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
(IC=2.0Adc, VCE=6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
.031  
.800  
---  
.035  
.900  
Cob  
2.0  
3.5  
.079  
2.000  
inches  
mm  
NF  
(VCE=6.0Vdc, IC=0.1mAdc,  
f=1.0KHz, Rg=10KĀ)  
---  
---  
10  
dB  
* hFE rank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与MMBT5343-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5343-Y-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
MMBT5343-Y-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
MMBT5350 SWST

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