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MMBT5350D

更新时间： 2024-09-27 14:54:43

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT5350D 数据手册

MMBT5350D

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors

1. Collector 2. Collector 3. Base

4. Emitter 5. Collector 6. Collector

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Peak Base Current, Pulsed

Power Dissipation

-I_CM

-I_BM

600

P_tot

℃

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

208

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

1 / 5

Dated: 03/04/2023 Rev: 03

12 3 4 5

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