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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5401
MMBT5401 PDF预览

MMBT5401

更新时间： 2024-01-25 09:40:48
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
PNP Plastic Encapsulate Transistor

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MMBT5401 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Base Number Matches：1

MMBT5401 数据手册

 浏览型号MMBT5401的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT5401  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP Plastic  
Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
•
•
Collector Current: ICM=0.6A  
Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=160V  
Operating And Storage Temperatures –55OC to 150OC  
Capable of 0.3Watts of Power Dissipation  
Marking: 2L  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
SOT-23  
A
D
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
C
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector -Emitter Breakdown Voltage  
150  
160  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
E
B
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
F
E
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=120Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
Vdc  
G
H
J
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
K
IEBO  
---  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
MIN  
.110  
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
DC Current Gain  
80  
100  
50  
---  
200  
---  
---  
---  
---  
.083  
.047  
.035  
.070  
(VCE=5.0Vdc, I =1.0mAdc)  
C
hFE-2  
DC Current Gain  
(VCE=5.0Vdc, I =10mAdc)  
C
F
.018  
hFE-3  
DC Current Gain  
G
H
J
.0005  
.035  
(VCE=5.0Vdc, I =50mAdc)  
C
.003  
.015  
.085  
.37  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
K
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
0.5  
1.0  
Vdc  
Vdc  
---  
---  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =50mAdc,IB=5.0mAdc)  
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=30MHz)  
100  
---  
MHz  
.035  
.900  
C
inches  
.079  
2.000  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi .com  
1 of 2  
Revision: 3  
2008/01/01  
12

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与MMBT5401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5401/D87Z TI

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 		200mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401/S62Z TI

获取价格

 		200mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401_07 DIOTEC

获取价格

 		Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT5401_08 DIODES

获取价格

 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401_1 DIODES

获取价格

 		PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401_11 UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5401_11 MCC

获取价格

 		PNP Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5401_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
MMBT5401_15 UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5401_D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SO-3

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