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MMBT5401DW

更新时间： 2024-11-25 14:53:31

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先科 - SWST		晶体管
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5页	224K
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小信号晶体管

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MMBT5401DW 数据手册

MMBT5401DW

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

TR2

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Applications

• For high voltage amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

160

150

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

Collector Current Continuous

Power Dissipation

-I_C

P_tot

T_j

600

200

℃

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 07/03/2023 Rev: 03

12 3 4 5

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