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MMBT5401D

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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先科 - SWST		晶体管
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5页	847K
描述
小信号晶体管

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MMBT5401D 数据手册

MMBT5401D

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Fully Internally Isolated in a Small

TR2

Surface Mount Package

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-26 Plastic Package

Applications

• For high voltage switching and amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Collector Base Voltage

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

160

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

150

200

Collector Current

Power Dissipation

P_D

300

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 06/05/2022 Rev: 02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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