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MMBT5401-AH

更新时间： 2023-12-06 20:09:49

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBT5401-AH 数据手册

MMBT5401-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For high voltage amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

160

150

600

Collector Current Continuous

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 20/10/2021 IYD4 Rev: 02

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