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MMBT5401

更新时间： 2024-01-04 06:37:55

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	106K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren fur die Oberflahenmontage

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MMBT5401 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Base Number Matches：	1

MMBT5401 数据手册

MMBT5400 / MMBT5401

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2006-05-16

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT5400

MMBT5401

150 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

120 V

130 V

160 V

5 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 1 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 50 mA

h_FE

–

180

–

MMBT5400

MMBT5401

- V_CE= 5 V, - I_C= 1 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 mA

- V_CE= 5 V, - I_C= 50 mA

h_FE

–

240

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

- I_C= 10 mA, - I_B= 1 mA

- I_C= 50 mA, - I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

0.2 V

0.5 V

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 10 mA, - I_B= 1 mA

- I_C= 50 mA, - I_B= 5 mA

- V_BEsat

–

1.0 V

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MMBT5401 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT5401-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401LT1G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401	FAIRCHILD	功能相似	PNP General Purpose Amplifier

与MMBT5401相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5401/D87Z	TI	获取价格	200mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401/S62Z	TI	获取价格	200mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401_07	DIOTEC	获取价格	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT5401_08	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401_11	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5401_11	MCC	获取价格	PNP Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5401_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
MMBT5401_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5401_D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SO-3

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