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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.58 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5401LT3G | ONSEMI |
类似代替  |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT5401LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| 2N5401RLRAG | ONSEMI |
类似代替 |
Amplifier Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5401LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT5401LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT5401L-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5401M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
150 V，60 mA，低饱和压，PNP 晶体管，SOT-723 |
|
| MMBT5401Q | DIODES |
获取价格 |
PNP, 150V, 0.6A, SOT23 |
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| MMBT5401Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
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| MMBT5401S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SO-3 |
|
| MMBT5401T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| MMBT5401-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
|
| MMBT5401-TP | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulate Transistor |
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