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MMBT5451DW

更新时间： 2023-12-06 20:09:18

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先科 - SWST		晶体管
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8页	1807K
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小信号晶体管

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MMBT5451DW 数据手册

MMBT5451DW

Complementary NPN / PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors

TR2

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

Parameter

Symbol

P_tot

Value

0.2

Unit

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Junction Temperature

R_θJA

T_j

625

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Maximum Ratings (T_a= 25 ):TR1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

180

160

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

0.2

Maximum Ratings (T_a= 25 ):TR2

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

160

150

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

0.2

1 / 8

Dated：08/03/2022 Rev:02

12 3 4 5 6 7 8

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