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MMBT5550

更新时间： 2024-02-22 00:55:07

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		IOT
页数	文件大小	规格书
2页	95K
描述
NPN Silicon

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MMBT5550 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5550 数据手册

Product specification

MMBT5550

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

NPN Silicon

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Symbol

V^CEO

V^CBO

V^EBO

I^C

Rating

140

160

Unit

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current -continuous

Total device dissipation FR-5 board *1

600

P^D

R^èJA

P^D

225

1.8

@TA = 25

Derate above 25

Thermal resistance, junction-to-ambient

Total device dissipation alumina substrate *2

@TA = 25

derate above 25

Thermal resistance, junction-to-ambient

mW/

556

300

2.4

mW/

R^èJA

417

Junction and storage temperature

T^J, T^stg

-55 to +150

* 1. FR-5 = 1.0 X 0.75 X 0.062 in.

* 2. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina.

http://www.twtysemi.com

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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