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MMBT549

更新时间： 2023-12-06 20:09:37

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先科 - SWST		晶体管
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5页	944K
描述
小信号晶体管

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MMBT549 数据手册

MMBT549

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low V_CE(sat)

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Applications

SOT-23 Plastic Package

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Peak Collector Current, Pulse

Power Dissipation

-I_CM

P_tot

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 11/04/2022 Rev：01

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