5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMBT5550
MMBT5550 PDF预览

MMBT5550

更新时间： 2024-02-04 10:52:09
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器IOT
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
NPN General Purpose Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT5550 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMBT5550 数据手册

 浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第6页 
August 2005  
MMBT5550  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers  
and gas discharge display drivers.  
3
2
SOT-23  
Marking: 1F  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
140  
Units  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
V
V
VCBO  
VEBO  
IC  
160  
6.0  
V
- Continuous  
600  
mA  
°C  
TJ, Tstg  
Junction and Storage Temperature  
-55 ~ +150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IC = 1.0mA, IB = 0  
140  
160  
6.0  
V
V
V
IC = 100µA, IE = 0  
IE = 10mA, IC = 0  
VCB = 100V, IE = 0  
100  
100  
nA  
µA  
V
CB = 100V, IE = 0, Ta = 100°C  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
VEB = 4.0V, IC = 0  
50  
nA  
On Characteristics  
hFE  
DC Current Gain  
IC = 1.0mA, VCE = 5.0V  
60  
60  
20  
I
I
C = 10mA, VCE = 5.0V  
C = 50mA, VCE = 5.0V  
250  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
IC = 10mA, IB = 1.0mA  
C = 50mA, IB = 5.0mA  
0.15  
0.25  
V
V
I
IC = 10mA, IB = 1.0mA  
1.0  
1.2  
V
V
I
C = 50mA, IB = 5.0mA  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT5550 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

中文翻译

下载PDF

MMBT5550 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KST5550MTF FAIRCHILD

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
MMBT6429LT1G ONSEMI

功能相似

 Amplifier Transistors NPN Silicon
MMBT5550LT1G ONSEMI

功能相似

 High Voltage Transistors

与MMBT5550相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5550G ZOWIE

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT5550GH ZOWIE

获取价格

 		High Voltage Transistors Lead free product Halogen-free type
MMBT5550L ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT5550LT1 ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors(NPN Silicon)
MMBT5550LT1 LRC

获取价格

 		High Voltage Transistors(NPN Silicon)
MMBT5550LT1 MOTOROLA

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT5550LT1G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT5550LT1G_10 ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors NPN Silicon
MMBT5550LT3G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT5551 ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors

与MMBT5550相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证