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MMBT5551 PDF预览

MMBT5551

更新时间： 2024-01-03 12:53:18
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商升特 - SEMTECH 晶体晶体管光电二极管放大器
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2页 194K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

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MMBT5551 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.62
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MMBT5551 数据手册

 浏览型号MMBT5551的Datasheet PDF文件第2页 
MMBT5551  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors  
for high voltage amplifier applications.  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
SOT-23 Plastic Package  
Parameter  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
160  
Unit  
V
V
180  
6
V
Collector Current  
600  
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
200  
O
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
C
O
C
TS  
-55 to +150  
O
Characteristics at Tamb=25 C  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
DC Current Gain  
at VCE=5V, IC=1mA  
at VCE=5V, IC=10mA  
at VCE=5V, IC=50mA  
hFE  
hFE  
hFE  
80  
80  
30  
-
250  
-
-
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage  
at IC=1mA  
Collector Base Breakdown Voltage  
at IC=100µA  
Emitter Base Breakdown Voltage  
at IE=10µA  
Collector Cutoff Current  
at VCB=120V  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
160  
180  
6
-
-
V
V
-
V
-
50  
nA  
Emitter Cutoff Current  
at VEB=4V  
IEBO  
-
50  
nA  
Collector Saturation Voltage  
at IC=10mA, IB=1mA  
at IC=50mA, IB=5mA  
VCE sat  
VCE sat  
-
-
0.15  
0.2  
V
V
Base Saturation Voltage  
at IC=10mA, IB=1mA  
at IC=50mA, IB=5mA  
VBE sat  
VBE sat  
-
-
1
1
V
V
Gain Bandwidth Product  
at VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz  
fT  
100  
-
300  
6
MHz  
pF  
Collector Base Capacitance  
at VCB=10V, f=1MHz  
CCBO  
Noise Figure  
at VCE=5V, IC=200µA, RG=2KΩ, f=30Hz…15KHz  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
NF  
-
-
8
dB  
RthA  
200  
K/W  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 16/11/2005  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5551/S62Z TI

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 		200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551_07 DIOTEC

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 		暂无描述
MMBT5551-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI

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