Datasheet > MMBT5551_07

MMBT5551_07

更新时间： 2024-11-18 10:52:27

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	100K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT5551_07 数据手册

MMBT5551

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2007-11-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT5551

160 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

180 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 1 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

I_C= 10 mA, V_CE= 5 V

I_C= 50 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

250

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.15 V

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.25 V

0.20 V

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与MMBT5551_07相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5551_08	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551_1	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551_10	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551_11	MCC	获取价格	NPN Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5551_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
MMBT5551_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
MMBT5551-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MMBT5551-3_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
MMBT5551-3L	BL Galaxy Electrical	获取价格	160V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor