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MMBT5551_07

更新时间： 2024-09-30 10:52:27

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

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MMBT5551_07 数据手册

MMBT5551

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2007-11-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT5551

160 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

180 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 1 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

I_C= 10 mA, V_CE= 5 V

I_C= 50 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

250

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.15 V

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.25 V

0.20 V

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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