Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5551-B-AE3-B-R

MMBT5551-B-AE3-B-R

更新时间： 2024-01-11 09:30:09

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友顺 - UTC		晶体开关晶体管高压
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描述
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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MMBT5551-B-AE3-B-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5551-B-AE3-B-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MMBT5551

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE SWITCHING

TRANSISTOR

ꢀ FEATURES

* High Collector-Emitter Voltage:

V_CEO=160V

* High current gain

SOT-23

*Pb-free plating product number:MMBT5551L

ꢀ ORDERING INFORMATION

Order Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free Plating

MMBT5551-x-AE3-6-R MMBT5551L-x-AE3-6-R SOT-23

Tape Reel

MMBT5551L-x-AE3-6-R

(1)Packing Type

(2)Pin Assignment

(3)Package Type

(4)Rank

(1) R: Tape Reel

(2) refer to Pin Assignment

(3) AE3: SOT-23

(4) x: refer to Classification of h_FE

(5) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

(5)Lead Plating

ꢀ

MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R206-010,D

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